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草野 翔吾*; 松村 大樹; 朝澤 浩一郎*; 岸 浩史*; 坂本 友和*; 山口 進*; 田中 裕久*; 水木 純一郎*
Journal of Electronic Materials, 46(6), p.3634 - 3638, 2017/06
被引用回数：3 パーセンタイル：19.84(Engineering, Electrical & Electronic)A method combining cyclic voltammetry (CV) with X-ray absorption fine structure (XAFS) spectroscopy, viz. CV-XAFS, has been developed to enable in situ real-time investigation of atomic and electronic structures related to electrochemical reactions. We use this method to study the reaction of a Pt/C cathode catalyst in the oxygen reduction reaction (ORR) in an alkaline electrolyte. It was found that the current induced by the ORR was first observed at approximately 0.08 V versus Hg/HgO, although the Pt valence remained almost unchanged. The electronic structure of the catalytic surface in the ORR was observed to be different in the negative and positive scan directions of CV measurements. Hydrogen adsorption is also discussed on the basis of the observation of this spectral change. We have demonstrated that CV-XAFS provides dynamical structural and electronic information related to electrochemical reactions and can be used for in situ real-time measurements of a catalyst.
Januszko, K.*; Stabrawa, A.*; 緒方 裕大; 徳田 誠*; Khandaker, J. I.*; Wojciechowski, K.*; 真下 茂*
Journal of Electronic Materials, 45(3), p.1947 - 1955, 2016/03
被引用回数：5 パーセンタイル：31.21(Engineering, Electrical & Electronic)Functionally graded thermoelectric materials (FGTMs) have been prepared by sedimentation of atoms under a strong gravitational field. Starting samples of Bi
Sb
alloys with different composition x were synthesized by melting of metals and subsequent annealing of quenched samples. Strong gravity experiments were performed in a unique ultracentrifuge apparatus under acceleration of over 0.5
10
G at temperatures of 538 K and 623 K. As a result of sedimentation, large changes in chemical composition (x = 0.45 to 1) were obtained. It was found that the changes in chemical composition were correlated with alterations of the Seebeck coefficient. The obtained experimental data allowed the development of a semiempirical model for the selection of optimal processing parameters for preparation of Bi-Sb alloys with required thermoelectric properties.
Tinkham, B. P.*; Romanyuk, O.*; Braun, W.*; Ploog, K. H.*; Grosse, F.*; 高橋 正光; 海津 利行*; 水木 純一郎
Journal of Electronic Materials, 37(12), p.1793 - 1798, 2008/12
被引用回数：4 パーセンタイル：30.89(Engineering, Electrical & Electronic)Surface X-ray diffraction was employed, 
, to measure the GaSb(001)-(15) and (13) surface phases under technologically relevant growth conditions. We measured a large set of fractional-order in-plane diffraction peaks arising from the superstructure of the surface reconstruction. For the (13) phase we obtained good agreement between our data and the 
(43) model proposed in recent experimental and theoretical work. Our measurements on the Sb-rich (15) phase provide evidence that the structure under growth conditions is, in fact, different from that of the models previously suggested on the basis of scanning tunneling microscopy (STM). We discuss reasons for this discrepancy as well as the identified structural elements for these reconstructions, which include surface relaxations and subsurface rearrangement.
徳永 陽; 本間 佳哉*; 神戸 振作; 青木 大*; 酒井 宏典; 中堂 博之; 生嶋 健司*; 山本 悦嗣; 中村 彰夫; 塩川 佳伸*; et al.
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 10(7), p.1663 - 1665, 2008/07
アクチノイドや希土類元素を含むf電子系化合物の多様な物性の背後には、f電子が持つ多極子の自由度が隠されている。この多極子の自由度が最も顕著に現れるのが多極子秩序と呼ばれる現象である。講演ではわれわれが行った二酸化ネプツニウム単結晶を用いた核磁気共鳴研究の結果を中心に、この新奇な秩序相について紹介する。また低温の電子状態について二酸化ウラニウムや二酸化プルトニウムとの比較も行う。
orbital systems with multi-Fermi-surface久保 勝規
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 10(7), p.1683 - 1687, 2008/07
揺らぎ交換近似によって正方格子上のe軌道系の超伝導を調べる。そのような多軌道系では、偶パリティ・スピン三重項や奇パリティ・スピン一重項状態が、電子対を反対称的な軌道を用いて構成することによって可能となる。実際、そのような状態は2つの軌道が同じフェルミ面を持つ2軌道ハバードモデルで実現することがわかっている。本研究で考えるe軌道系の特徴は、Slater-Koster積分の比によって、フェルミ面の数や形状が変わることである。そして計算の結果、Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov状態のような有限の重心運動量を持つ、偶パリティ・スピン三重項や奇パリティ・スピン一重項が無磁場下でも実現することがわかった。2つのフェルミ面が似た形状を持つときには、それらの中心を結ぶ運動量を持つ超伝導対状態が安定化されるのである。
and YVO single crystal杉山 僚; 奈良 康永; 和田 謙吾*; 福山 裕康
Journal of Materials Science; Materials in Electronics, 15(9), p.607 - 612, 2004/09
Nd:YVOレーザー結晶に放熱板として作用するYVO母結晶の接合を試みた。接合面の処理法にはこれまでの化学処理に代わる新たなドライエッチング処理を研磨後の結晶表面に適用した。接合のための熱処理プロセスにおいて、析出物の抑制には873Kの熱処理が必要であった。33mmの接合面を評価するために光学散乱測定及び波面歪み測定を行った。この結果、接合面での光学散乱密度は4.610
/cm
以下であり、また光学歪みは633nmにおいて0.04波長程度と推測された。さらに拡大観察試験では、接合界面においても結晶内部と同様に原子が規則正しく整列した状態を確認した。また、YVO結晶中のNd
イオンの拡散定数は873Kにおいて2.310
m
/secと推測された。
thin films岡田 浩*; 藤田 直樹*; Lee, H.-S.*; 若原 昭浩*; 吉田 明*; 大島 武; 伊藤 久義
Journal of Electronic Materials, 32(9), p.L5 - L8, 2003/09
被引用回数：1 パーセンタイル：12.39(Engineering, Electrical & Electronic)宇宙用の耐放射線性薄膜太陽電池への応用が期待されているCuInSe(CIS)半導体の電子線照射により発生する欠陥準位を調べるために、スパッタ法でGaAs上に作製したCIS薄膜単結晶に2MeV及び3MeV陽子線照射を行った。電子線照射は室温にて最大510
/cm行った。Hall測定より110/cm以上の電子線照射によりキャリア濃度及び移動度が低下していくことが明らかとなった。深部準位(DLTS)測定を行ったところ、電子線照射により電子トラップが形成されることが判明した。電子トラップのエネルギーの温度依存性(逆数)を解析することで電子トラップの活性化エネルギーを見積もったところ220meVと求められた。この値は、未照射の試料で見られる電子トラップである330meVとは異なることから、電子線照射により、低エネルギーの電子トラップが発生しキャリアに散乱等の影響を与えることが明らかとなった。
西村 昭彦; 杉山 僚; 宇佐美 力; 大原 和夫*
Journal of Materials Science; Materials in Electronics, 14(1), p.1 - 3, 2003/01
超高出力レーザー媒質候補としてのイッテルビウムガラス材料の性能向上について報告する。高濃度にイッテルビウム3価イオンを含有させたレーザーガラスを製作し、その線膨張係数をサファイヤに一致させた。強励起され発熱するイッテルビウムガラスの表面に熱除去のためのサファイヤ板を密着させた。間隙には1-ブロモナフタレンを充填することで、界面からの反射損失の低減と熱伝達の改善に成功した。集光強度20kW/cmの励起実験を行い、冷却特性の改善の確認及び界面の損傷が生じないことを確認した。イッテルビウムガラスとサファイヤの複合化により超高出力レーザーシステムの繰り返し動作の向上が可能である。
